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电子元器件详细资料 » IC[24959] » NDD02N60Z-1G
型号:NDD02N60Z-1G类别:FET - 单制造商:ON Semiconductor
封装:TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA描述:MOSFET N-CH 600V IPAK

详细参数

类别FET - 单
描述MOSFET N-CH 600V IPAK
系列-
制造商ON Semiconductor
FET型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点标准
漏极至源极电压(Vdss)600V
电流_连续漏极(Id)0a025000C2.2A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C4.8 欧姆 @ 1A,10V
Id时的Vgs(th)111最大2224.5V @ 50µA
闸电荷(Qg)0a0Vgs10.1nC @ 10V
输入电容(Ciss)0a0Vds274pF @ 25V
功率_最大57W
安装类型通孔
封装/外壳TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA
供应商设备封装I-Pak
包装管件

供应商

深圳市富乐亚科技有限公司郑小姐0755-18503085056
深圳市科思奇电子科技有限公司林小姐/朱先生0755-83245050/82785939
北京元坤国际科技有限公司何小姐086-010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
深圳市瑞东芯电子科技有限公司刘0755-83204818
深圳市科思奇电子科技有限公司林小姐/朱先生0755-83245050/82785939
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